समाधान प्रश्न 8
प्रश्न 8 - 29 जनवरी - शिफ्ट 2
सूची-1 और सूची-2 का मिलान करें।
| सूची-1 | सूची-2 |
|---|---|
| A. परासरण | I. विलायक अणु आंशिक रूप से पारगम्य मेमोरी के माध्यम से विलायक ओर जाते हैं। |
| B. प्रतिपरासरण | II. आवेशित कोलॉइड कणों के गति आवेश वाले विद्युत विभव के प्रभाव में विपरीत आवेशित इलेक्ट्रोड की ओर। |
| C. विद्युत परासरण | III. विलायक अणु आंशिक रूप से पारगम्य मेमोरी के माध्यम से विलयन ओर जाते हैं। |
| D. विद्युत अपवर्तन | IV. प्रसार माध्यम विद्युत क्षेत्र में गति करता है। |
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर का चयन करें:
(1) A-I, B-III, C-IV, D-II
(2) A-III, B-I, C-IV, D-II
(3) A-III, B-I, C-II, D-IV
(4) A-I, B-III, C-II, D-IV
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उत्तर: (2)
समाधान:
- A. परासरण: यह प्रक्रिया विलायक अणु आंशिक रूप से पारगम्य मेमोरी के माध्यम से विलयन ओर जाते हैं। सही मिलान III है।
- B. प्रतिपरासरण: यह विलायक अणु आंशिक रूप से पारगम्य मेमोरी के माध्यम से विलायक ओर जाते हैं, आमतौर पर प्राकृतिक परासरण दबाव के विपरीत दिशा में, जो परासरण के विपरीत होता है। सही मिलान I है (हालांकि विवरण थोड़ा गलत लग सकता है, लेकिन यह सबसे करीबी मिलान है)।
- C. विद्युत परासरण: यह जब प्रसार माध्यम विद्युत क्षेत्र में गति करता है। सही मिलान IV है।
- D. विद्युत अपवर्तन: यह आवेशित कोलॉइड कणों के गति आवेश वाले विद्युत विभव के प्रभाव में विपरीत आवेशित इलेक्ट्रोड की ओर होती है। सही मिलान II है।
अंतिम मिलान इस प्रकार है:
- A. परासरण - III
- B. प्रतिपरासरण - I
- C. विद्युत परासरण - IV
- D. विद्युत अपवर्तन - II